Pulzna laserska depozicija (PLD) predstavlja eno izmed ključnih tehnik za sintezo epitaksialnih tankih plasti in heterostruktur. V predavanju bom opisal, kako smo na Institutu »Jožef Stefan« z uporabo tehnike PLD razvili postopek rasti funkcionalnih oksidov na polprevodniških platformah s kontrolo na atomskem nivoju. V primeru silicijevega substrata sta ključna koraka epitaksialne integracije pasivizacija s stroncijem z ustrezno rekonstrukcijo silicijeve površine ter kinetično kontrolirana sekvenčna depozicija oksida. Kot alternativo direktni epitaksiji smo z uporabo grafena razvili postopek van der Waalsove epitaksije, s čimer smo zmanjšali zahteve vpenjanja oksidov na silicij in njuno medsebojno reaktivnost. Na tako pripravljenih psevdosubstratih smo nadalje preučevali razvoj zelenega vodika, kakor tudi magnetne, feroelektrične in piezoelektrične lastnosti heterostruktur, funkcionalnosti pa smo ciljno prilagajali preko načrtovanja epitaksialnih in termičnih napetosti v oksidnih plasteh.
Od laboratorija do industrije: kako zgraditi velike kvantne računalnike?
Področje kvantnih tehnologij je v zadnjih dveh desetletjih doživelo izjemen razvoj. Nedavni napredki so omogočili gradnjo kvantnih računalnikov z več sto kubiti ter demonstracijo kvantnega popravljanja napak. Kljub temu pa pot do praktičnih kvantnih računalnikov z...




